对于不久前曝光的iPhone 6 Plus128GB机型遭遇频繁死机的事件，业内分析认为可能与设备采用的TLC NAND存储器控制IC的缺陷有关。虽然苹果并没有大举措回应，但实际情况似乎确实存在。日前有报道称，除了顶配版iPhone 6 Plus之外，iPhone 6 64GB版本机型其实也有部分批次采用了TLC闪存。
根据外媒Gforgames报道称，韩国一家媒体Kbench日前将新iPhone中采用的两类NAND闪存进行了测试对比，结果显示MLC闪存在整体速度和闲置使用率的性能表现上比TLC更加出色。
Kbench针对MLC和TLC版本iPhone 6 64GB机型进行闪存性能写入测试，分别采用了ZeroFill（全0模式）及RandomFill（100%随机模式）拷贝资料，进行1K、2K逐级递增至32768K等不同规格的大小测试，每个文件大小重复100次，测试结果令人震惊。
如上图所示：第一个图表为全0模式，采用TLC版本机型会针对系统内存进行动态快速存取优化，当系统进行拷贝时会使用系统存储进行暂存，以提升TLC写入系统的性能，但是当数据大小超过一定量级后，系统性能会出现严重下降，已经开启的应用会出现延迟或闪退情况。
第二个图表为随机模式，TLC与MLC的性能差别在此项测试中明显扩大了，对系统存储难于对付的零碎文件进行实时动态存储时，采用TLC闪存的机型写入性能大幅下降。虽然采用MLC机型的表现也不是很理想，但在处理4K、8K、32K大数据包时的表现明显更优于TLC。而在采用MCL版本机型拷进行贝时，系统内存并没有针对磁盘进行快速存取，不过在数据拷贝的过程中整体表现稳定平均，不会出现像TLC闪存大起大落的现象，同样不会出现延迟与闪退现象。
第三个图表为磁盘使用情况，在右图的MLC版本中，当进行拷贝时，磁盘使用率仅有轻微的上升，并不会像左图的TLC版本一样突然大量占用系统内存（“Inactive”部分），整个拷贝过程非常稳定。
综合如上情况看来，如果你买到的是MLC版本iPhone 6 64GB机型那么可以暗喜了，如果不幸买到TLC版本机型，那么只能怪运气欠佳了。不过，近期有报道称，苹果将会在下一批新设备中换用MLC闪存，同时也可能会为经鉴定存在该硬件问题的设备提供更换服务，所以大家还是不用眉头紧锁了。
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